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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: GT30F131 à HA1124A (Page 154 sur 485)

Transistor GT30F131

GT30F131
8.90€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 360V 30A/200Ap 140W Vce(sat)1.9V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F131. Implantation: Felület szerelt (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO-220SM (MXN). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 360 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 140 W. VCE(sat): 1,9 V. VCE(sat)max.: 1,9 V. Diode CE: No

 
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Transistor GT30G122

GT30G122
10.81€ TTC
8 En stock
8 En stock

N-IGBT 400V 30A/120Ap 25W Vce(sat)2.6V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30G122. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 400 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,6 V. VCE(sat)max.: 2,6 V. Diode CE: No. Diode au germaniu

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N GT30G124

GT30G124
9.02€ TTC
9 En stock
9 En stock

Transistor IGBT canal-N 430V 30A/200Ap 25W Vce(sat) : 2.5V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT30J124

GT30J124
9.91€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 600V 30A/200Ap 26W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30J124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 26 W. VCE(sat): 2,4 V. VCE(sat)max.: 2,4 V. Diode CE: No. Diode au germanium

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N GT30J322

GT30J322
20.55€ TTC
39 En stock
39 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat) : 2.1V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT30J324

GT30J324
11.26€ TTC
2 En stock
2 En stock

N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30J324. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-3PN (2-16C1B). Boîtier: TO-3P. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 60 A. Puissance: 170 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VGE(th)max.: 6,5 V. VCE(sat):

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N GT35J321

GT35J321
18.26€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor IGBT canal-N 600V. Diode de roue-libre intégrée 37A/100Ap 75W Vce(sat) : 1.9 - 2.3V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT50J325

GT50J325
41.22€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 240W. Vce(sat): 2.0V. Boîtier: TO-3P (LH). Fast Switching.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT60M104

GT60M104
32.93€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 900V 60A/120Ap 200W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 (2-21F2C). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 900 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 50 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 200 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 3 V. VGE(th)max.: 6 V. VCE(sat): 2,4 V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor GT60M303

GT60M303
34.33€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

N-IGBT+D 900V 60A/120Ap 170W Vce(sat)1.6V. Constructeur: TOSHIBA. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 (2-21F2C). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 900 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 50 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 170 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 3 V. VGE(th)max.: 6 V. VCE(sat): 1,6

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré GTL2003PW

GTL2003PW
5.32€ TTC
130 En stock
130 En stock

Circuit intégré GTL2003PW. 8-bit bidirectional low voltage translator. Constructeur: NXP Semiconductors. Code constructeur: GTL2003PW.112. Marquage boîtier: GTL2003. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: TSSOP. Boîtier: TSSOP20 (SOT360-1). Plage de température de fonctionnement: -40°C à +85°C. Fonction: Translation - Voltage Levels 8-

 
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Circuit intégré H8D1979

H8D1979
28.06€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré H8D1979. HYBRID IC. PANASONIC. Boîtier: 8p. Constructeur: MURATA.

 
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Circuit intégré HA11211

HA11211
18.65€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré HA11211. Fm/Am Tuner 16/20P

 
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Circuit intégré HA11219

HA11219
13.16€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré HA11219. FM NOISE SUPPR. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA11223W

HA11223W
22.01€ TTC
2 En stock
2 En stock

Circuit intégré HA11223W. Décodeur Stéréo. Boîtier: 16p. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA11225

HA11225
9.97€ TTC
12 En stock
12 En stock

Circuit intégré HA11225. FM IF Amplifier. Boîtier: 16p. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA11226

HA11226
11.87€ TTC
27 En stock
27 En stock

Circuit intégré HA11226. Dolby N/R System 18P

 
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Circuit intégré HA11235

HA11235
12.15€ TTC
9 En stock
9 En stock

Circuit intégré HA11235. TV SYNC.SIGNAL PROCES. Boîtier: 16p. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA1124

HA1124
5.99€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré HA1124. TV SOUND IF Amplifier. Boîtier: 14p. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA11247

HA11247
13.50€ TTC
11 En stock
11 En stock

Circuit intégré HA11247. CTV NTSC CHROMA. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HA1124A

HA1124A
3.70€ TTC
3 En stock
3 En stock

Circuit intégré HA1124A. TV SOUND IF. Boîtier: 14p. Constructeur: HITACHI.

 
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